Compound Semiconductor Device

徵碩(博)士研究生與獎學金資訊

 交大-台積電聯合研發中心

103年度遴選優秀學生獎勵辦法公告

一、宗旨

國立交通大學與台積電公司於102年成立「交大-台積電聯合研發中心」(以下簡稱本中心),以推動次世代異質整合前瞻VLSI技術相關研究。為招募優秀學生擴大參與,以培養未來半導體固態領域優異之研發人才,特設立此遴選獎勵辦法,甄選本校優秀學生參與本中心之研究。

 

二、實施對象及申請時程

(一)   本校大學部及研究所學生就讀電子、電機、材料、電子物理、機械、光電及奈米學程等科系,現在或已獲得中心參與教授同意指導半導體元件、製程相關專題研究(大學部)或論文研究(研究生)者,即有資格申請參加遴選。

(二)     103年第一梯次(即日起開放申請至2/25截止):大三學生、102年秋季甄試入學研一生、博士班研究生。

 

        三、遴選標準

(一)      大學部專題生:

1. 申請截止前學業成績各項表現。

2. 現在或未來規劃修習半導體相關課程。

(二)      研究所學生:

1. 在校學業成績表現。

2. 研究相關表現,包含研討會或期刊論文發表等。

           

        四、獎勵期間及獎勵標準

(一)   獎勵期間:

1.   大學部專題生:通過審核者獎勵自103年3月至103年8月。

2.   碩博士研究生:通過審核者獎勵期間自103年3月至104年2月,共計12個月。

(二)   獎勵標準:

1.   大學部專題生:在校學業成績前10%者10,000/月,其餘6,000元/月。

2.   碩博士研究生:碩士生10,000/月,博士生15,000~30,000/月。

*審核通過者,於上述獎勵期間皆須於本校就讀,並於學期開始前繳交蓋有該學期註冊章之學生證影本至本中心;若有休學或退學者,則自休學或退學日起停止獎勵。

 

           Download Forms:     

                      http://www.fileswap.com/dl/f5jDH3rYPU/

                            http://www.fileswap.com/dl/NAmzWuSOhm/

                          

 

                                 

 

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